Справочник MOSFET. AM3460N

 

AM3460N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM3460N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AM3460N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3460N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  analog power
 am3460n.pdf pdf_icon

AM3460N

Analog Power AM3460NN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) () ID (A)applications are DC-DC converters and power 0.027 @ VGS = 10 V 7.1management in portable and battery-powered 60products

 9.1. Size:326K  analog power
 am3463p.pdf pdf_icon

AM3460N

Analog Power AM3463PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)180 @ VGS = -10V -2.7 Low thermal impedance -60255 @ VGS = -4.5V -2.3 Fast switching speed Typical Applications: TSOP-6 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

Другие MOSFET... AM3454N , AM3455P , AM3456N , AM3456NE , AM3457P , AM3457PE , AM3458N , AM3459P , 10N60 , AM3463P , AM3470N , AM3471P , AM3472N , AM3474N , AM3483 , AM3490N , AM3490NE .

History: CSD16322Q5 | 2SK3019 | VS3628GA

 

 
Back to Top

 


 
.