AM3460N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM3460N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для AM3460N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3460N даташит

 ..1. Size:97K  analog power
 am3460n.pdf pdf_icon

AM3460N

Analog Power AM3460N N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARY provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) applications are DC-DC converters and power 0.027 @ VGS = 10 V 7.1 management in portable and battery-powered 60 products

 9.1. Size:326K  analog power
 am3463p.pdf pdf_icon

AM3460N

Analog Power AM3463P P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 180 @ VGS = -10V -2.7 Low thermal impedance -60 255 @ VGS = -4.5V -2.3 Fast switching speed Typical Applications TSOP-6 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

Другие IGBT... AM3454N, AM3455P, AM3456N, AM3456NE, AM3457P, AM3457PE, AM3458N, AM3459P, IRFP260N, AM3463P, AM3470N, AM3471P, AM3472N, AM3474N, AM3483, AM3490N, AM3490NE