AM3460N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM3460N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
AM3460N Datasheet (PDF)
am3460n.pdf
Analog Power AM3460NN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) () ID (A)applications are DC-DC converters and power 0.027 @ VGS = 10 V 7.1management in portable and battery-powered 60products
am3463p.pdf
Analog Power AM3463PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)180 @ VGS = -10V -2.7 Low thermal impedance -60255 @ VGS = -4.5V -2.3 Fast switching speed Typical Applications: TSOP-6 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
