Справочник MOSFET. AM3460N

 

AM3460N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM3460N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3460N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  analog power
 am3460n.pdf pdf_icon

AM3460N

Analog Power AM3460NN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) () ID (A)applications are DC-DC converters and power 0.027 @ VGS = 10 V 7.1management in portable and battery-powered 60products

 9.1. Size:326K  analog power
 am3463p.pdf pdf_icon

AM3460N

Analog Power AM3463PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)180 @ VGS = -10V -2.7 Low thermal impedance -60255 @ VGS = -4.5V -2.3 Fast switching speed Typical Applications: TSOP-6 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TSM8N80CI | NVMFS5C628N | AOT264L | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.