AM35N03-59D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM35N03-59D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.6 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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AM35N03-59D Datasheet (PDF)

..1. Size:139K analog power
am35n03-59d.pdf

Analog Power AM35N03-59DN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 59 @ VGS = 4.5V 24converters and power management in portable and 3088 @ VGS = 2.5V 20batt

6.1. Size:302K analog power
am35n03-40d.pdf

Analog Power AM35N03-40DN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)29 @ VGS = 4.5V34 Low thermal impedance 3043 @ VGS = 2.5V28 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: