AM35N03-59D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM35N03-59D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm

Encapsulados: TO-252

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AM35N03-59D datasheet

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AM35N03-59D

Analog Power AM35N03-59D N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 59 @ VGS = 4.5V 24 converters and power management in portable and 30 88 @ VGS = 2.5V 20 batt

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AM35N03-59D

Analog Power AM35N03-40D N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 29 @ VGS = 4.5V 34 Low thermal impedance 30 43 @ VGS = 2.5V 28 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

Otros transistores... AM3492NE, AM3520C, AM3524C, AM3531C, AM3548C, AM3560C, AM3599C, AM35N03-40D, IRF9540N, AM3850C, AM3902N, AM3904N, AM3906N, AM3921P, AM3922N, AM3925P, AM3930N