AM35N03-59D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM35N03-59D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AM35N03-59D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM35N03-59D даташит

 ..1. Size:139K  analog power
 am35n03-59d.pdf pdf_icon

AM35N03-59D

Analog Power AM35N03-59D N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 59 @ VGS = 4.5V 24 converters and power management in portable and 30 88 @ VGS = 2.5V 20 batt

 6.1. Size:302K  analog power
 am35n03-40d.pdf pdf_icon

AM35N03-59D

Analog Power AM35N03-40D N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 29 @ VGS = 4.5V 34 Low thermal impedance 30 43 @ VGS = 2.5V 28 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

Другие IGBT... AM3492NE, AM3520C, AM3524C, AM3531C, AM3548C, AM3560C, AM3599C, AM35N03-40D, IRF9540N, AM3850C, AM3902N, AM3904N, AM3906N, AM3921P, AM3922N, AM3925P, AM3930N