AM3906N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3906N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3906N

AM3906N Datasheet (PDF)

..1. Size:225K analog power
am3906n.pdf

Analog Power AM3906NDual N-Channel Logical Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC 0.099 @ VGS = 10 V 2.5converters, power management

9.1. Size:233K analog power
am3902n.pdf

Analog Power AM3902NDual N-Channel Logic Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsutilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)applications are DC-DC converters and 4.0 @ VGS = 4.5 V 0.4power management in portable and 25battery-powered p

9.2. Size:235K analog power
am3904n.pdf

Analog Power AM3904NDual N-Channel Logic Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are logic switch 0.45 @ VGS = 4.5 V 0.5control, power manageme

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Liste

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