Справочник MOSFET. AM3906N

 

AM3906N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM3906N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.95 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 2.3 nC
   Время нарастания (tr): 11 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для AM3906N

 

 

AM3906N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  analog power
 am3906n.pdf

AM3906N AM3906N

Analog Power AM3906NDual N-Channel Logical Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC 0.099 @ VGS = 10 V 2.5converters, power management

 9.1. Size:233K  analog power
 am3902n.pdf

AM3906N AM3906N

Analog Power AM3902NDual N-Channel Logic Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsutilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)applications are DC-DC converters and 4.0 @ VGS = 4.5 V 0.4power management in portable and 25battery-powered p

 9.2. Size:235K  analog power
 am3904n.pdf

AM3906N AM3906N

Analog Power AM3904NDual N-Channel Logic Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are logic switch 0.45 @ VGS = 4.5 V 0.5control, power manageme

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top