2N0609 Todos los transistores

 

2N0609 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N0609

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm

Encapsulados: TO-220C

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2N0609 datasheet

 ..1. Size:248K  inchange semiconductor
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2N0609

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N0609 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.1m 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra Low On-resistance Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V Gate-Source

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History: WM02DN50M3

 

 

 


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