2N0609 Todos los transistores

 

2N0609 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N0609
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C
 

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2N0609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  inchange semiconductor
 2n0609.pdf pdf_icon

2N0609

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N0609FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9.1m100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-Source

Otros transistores... ITF87008DQT , ITF87012SVT , ITF87052SVT , ITF87056DQT , ITF87068SQT , ITF87072DK8T , 12N65KL-TF , 20N03 , IRLB4132 , 2SK2080 , 2SK2652 , 2SK2654 , 2SK3530 , 2SK3681 , 3N150S , 80N08A , AOB12N65 .

History: SIHLD110 | IXTH150N17T

 

 
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