2N0609 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N0609
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
Encapsulados: TO-220C
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2N0609 datasheet
2n0609.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2N0609 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.1m 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra Low On-resistance Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V Gate-Source
Otros transistores... ITF87008DQT , ITF87012SVT , ITF87052SVT , ITF87056DQT , ITF87068SQT , ITF87072DK8T , 12N65KL-TF , 20N03 , CS150N03A8 , 2SK2080 , 2SK2652 , 2SK2654 , 2SK3530 , 2SK3681 , 3N150S , 80N08A , AOB12N65 .
History: WM02DN50M3
History: WM02DN50M3
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Liste
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