Справочник MOSFET. 2N0609

 

2N0609 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N0609
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C
 

 Аналог (замена) для 2N0609

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N0609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  inchange semiconductor
 2n0609.pdf pdf_icon

2N0609

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N0609FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9.1m100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-Source

Другие MOSFET... ITF87008DQT , ITF87012SVT , ITF87052SVT , ITF87056DQT , ITF87068SQT , ITF87072DK8T , 12N65KL-TF , 20N03 , IRLB4132 , 2SK2080 , 2SK2652 , 2SK2654 , 2SK3530 , 2SK3681 , 3N150S , 80N08A , AOB12N65 .

History: BS108ZL1G | SPD35N10

 

 
Back to Top

 


 
.