2N0609 - описание и поиск аналогов

 

2N0609. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N0609

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для 2N0609

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N0609 даташит

 ..1. Size:248K  inchange semiconductor
 2n0609.pdf pdf_icon

2N0609

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N0609 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.1m 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra Low On-resistance Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V Gate-Source

Другие MOSFET... ITF87008DQT , ITF87012SVT , ITF87052SVT , ITF87056DQT , ITF87068SQT , ITF87072DK8T , 12N65KL-TF , 20N03 , CS150N03A8 , 2SK2080 , 2SK2652 , 2SK2654 , 2SK3530 , 2SK3681 , 3N150S , 80N08A , AOB12N65 .

History: PN4091 | SM1501GSQH | WMM08N60C4 | KO6601 | KHB011N40F2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.