AM4953P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4953P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM4953P datasheet

 ..1. Size:321K  analog power
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AM4953P

Analog Power AM4953P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 52 @ VGS = -10V -5.2 Low thermal impedance -30 89 @ VGS = -4.5V -4.0 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

 8.1. Size:535K  ait semi
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AM4953P

AiT Semiconductor Inc. AM4953 www.ait-ic.com MOSFET -30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM4953 is the Dual P-Channel logic -30V/-5.3A, R =46m (typ.)@V =-10V DS(ON) GS enhancement mode power field effect transistor is -30V/-3.6A, R =75m (typ.)@V =-4.5V DS(ON) GS produced using high cell density. Advanced trench Super high density cell desig

Otros transistores... AM4930N, AM4932N, AM4934N, AM4935P, AM4936N, AM4940N, AM4942N, AM4953, IRF2807, AM4960N, AM4962NE, AM4963P, AM4964NT, AM4970N, AM4990N, AM4990NE, AM4992N