AM4953P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4953P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM4953P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4953P даташит

 ..1. Size:321K  analog power
 am4953p.pdf pdf_icon

AM4953P

Analog Power AM4953P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 52 @ VGS = -10V -5.2 Low thermal impedance -30 89 @ VGS = -4.5V -4.0 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

 8.1. Size:535K  ait semi
 am4953.pdf pdf_icon

AM4953P

AiT Semiconductor Inc. AM4953 www.ait-ic.com MOSFET -30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM4953 is the Dual P-Channel logic -30V/-5.3A, R =46m (typ.)@V =-10V DS(ON) GS enhancement mode power field effect transistor is -30V/-3.6A, R =75m (typ.)@V =-4.5V DS(ON) GS produced using high cell density. Advanced trench Super high density cell desig

Другие IGBT... AM4930N, AM4932N, AM4934N, AM4935P, AM4936N, AM4940N, AM4942N, AM4953, IRF2807, AM4960N, AM4962NE, AM4963P, AM4964NT, AM4970N, AM4990N, AM4990NE, AM4992N