Справочник MOSFET. AM4953P

 

AM4953P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM4953P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.8 nC
   Время нарастания (tr): 7 ns
   Выходная емкость (Cd): 66 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AM4953P

 

 

AM4953P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  analog power
am4953p.pdf

AM4953P AM4953P

Analog Power AM4953PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)52 @ VGS = -10V -5.2 Low thermal impedance -3089 @ VGS = -4.5V -4.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

 8.1. Size:535K  ait semi
am4953.pdf

AM4953P AM4953P

AiT Semiconductor Inc. AM4953 www.ait-ic.com MOSFET -30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM4953 is the Dual P-Channel logic -30V/-5.3A, R =46m(typ.)@V =-10V DS(ON) GSenhancement mode power field effect transistor is -30V/-3.6A, R =75m(typ.)@V =-4.5V DS(ON) GSproduced using high cell density. Advanced trench Super high density cell desig

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top