Справочник MOSFET. AM4953P

 

AM4953P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM4953P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AM4953P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4953P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  analog power
 am4953p.pdf pdf_icon

AM4953P

Analog Power AM4953PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)52 @ VGS = -10V -5.2 Low thermal impedance -3089 @ VGS = -4.5V -4.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

 8.1. Size:535K  ait semi
 am4953.pdf pdf_icon

AM4953P

AiT Semiconductor Inc. AM4953 www.ait-ic.com MOSFET -30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM4953 is the Dual P-Channel logic -30V/-5.3A, R =46m(typ.)@V =-10V DS(ON) GSenhancement mode power field effect transistor is -30V/-3.6A, R =75m(typ.)@V =-4.5V DS(ON) GSproduced using high cell density. Advanced trench Super high density cell desig

Другие MOSFET... AM4930N , AM4932N , AM4934N , AM4935P , AM4936N , AM4940N , AM4942N , AM4953 , IRFB31N20D , AM4960N , AM4962NE , AM4963P , AM4964NT , AM4970N , AM4990N , AM4990NE , AM4992N .

History: TPCC8A01-H | AM4953

 

 
Back to Top

 


 
.