AM4953P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM4953P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.8 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 66 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
Тип корпуса: SO-8
AM4953P Datasheet (PDF)
am4953p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Analog Power AM4953PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)52 @ VGS = -10V -5.2 Low thermal impedance -3089 @ VGS = -4.5V -4.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU
am4953.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AiT Semiconductor Inc. AM4953 www.ait-ic.com MOSFET -30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM4953 is the Dual P-Channel logic -30V/-5.3A, R =46m(typ.)@V =-10V DS(ON) GSenhancement mode power field effect transistor is -30V/-3.6A, R =75m(typ.)@V =-4.5V DS(ON) GSproduced using high cell density. Advanced trench Super high density cell desig
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .