AM4970N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4970N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM4970N datasheet

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AM4970N

Analog Power AM4970N Dual N-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 300 @ VGS = 10V 2.2 Low thermal impedance 200 340 @ VGS = 4.5V 2.1 Fast switching speed SO-8 Typical Applications PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

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