AM4970N Todos los transistores

 

AM4970N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM4970N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AM4970N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  analog power
 am4970n.pdf pdf_icon

AM4970N

Analog Power AM4970NDual N-Channel 200-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)300 @ VGS = 10V2.2 Low thermal impedance 200340 @ VGS = 4.5V2.1 Fast switching speed SO-8 Typical Applications: PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

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History: AP18P10GK | SFF116N10M | IRFH7934PBF

 

 
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