AM4970N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4970N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM4970N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4970N даташит

 ..1. Size:309K  analog power
 am4970n.pdf pdf_icon

AM4970N

Analog Power AM4970N Dual N-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 300 @ VGS = 10V 2.2 Low thermal impedance 200 340 @ VGS = 4.5V 2.1 Fast switching speed SO-8 Typical Applications PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

Другие IGBT... AM4940N, AM4942N, AM4953, AM4953P, AM4960N, AM4962NE, AM4963P, AM4964NT, P60NF06, AM4990N, AM4990NE, AM4992N, AM4998N, AM50N03-12D, AM50N03-12I, AM50N06-15D, AM50N06-20D