Справочник MOSFET. AM4970N

 

AM4970N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM4970N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AM4970N

 

 

AM4970N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  analog power
 am4970n.pdf

AM4970N AM4970N

Analog Power AM4970NDual N-Channel 200-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)300 @ VGS = 10V2.2 Low thermal impedance 200340 @ VGS = 4.5V2.1 Fast switching speed SO-8 Typical Applications: PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXTF1N250 | ZXMN3A02X8

 

 
Back to Top