Справочник MOSFET. AM4970N

 

AM4970N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM4970N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AM4970N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4970N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  analog power
 am4970n.pdf pdf_icon

AM4970N

Analog Power AM4970NDual N-Channel 200-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)300 @ VGS = 10V2.2 Low thermal impedance 200340 @ VGS = 4.5V2.1 Fast switching speed SO-8 Typical Applications: PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

Другие MOSFET... AM4940N , AM4942N , AM4953 , AM4953P , AM4960N , AM4962NE , AM4963P , AM4964NT , AO3401 , AM4990N , AM4990NE , AM4992N , AM4998N , AM50N03-12D , AM50N03-12I , AM50N06-15D , AM50N06-20D .

History: AP2762I-A | CEP84A4 | BSC123N08NS3G | 2SK2101-01MR | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.