AM5350N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM5350N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM5350N

AM5350N Datasheet (PDF)

..1. Size:314K analog power
am5350n.pdf

Analog Power AM5350NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)700 @ VGS = 10V1.3 Low thermal impedance1501200 @ VGS = 4.5V1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Telecom DC/DC convertersDD White LED boost conver

9.1. Size:571K ait semi
am5352.pdf

AM5352 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM5352 is the N-Channel logic enhancement 20V/0.6A, R =200m(typ.)@V =4.5V DS(ON) GSmode power field effect transistor which is produced 20V/0.5A, R =240m(typ.)@V =2.5V DS(ON) GSusing high cell density advanced trench technology to 20V/0.4A, R =420m

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History: IRFP3703PBF

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: