Справочник MOSFET. AM5350N

 

AM5350N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM5350N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2

 Аналог (замена) для AM5350N

 

 

AM5350N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  analog power
 am5350n.pdf

AM5350N AM5350N

Analog Power AM5350NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)700 @ VGS = 10V1.3 Low thermal impedance1501200 @ VGS = 4.5V1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Telecom DC/DC convertersDD White LED boost conver

 9.1. Size:571K  ait semi
 am5352.pdf

AM5350N AM5350N

AM5352 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM5352 is the N-Channel logic enhancement 20V/0.6A, R =200m(typ.)@V =4.5V DS(ON) GSmode power field effect transistor which is produced 20V/0.5A, R =240m(typ.)@V =2.5V DS(ON) GSusing high cell density advanced trench technology to 20V/0.4A, R =420m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top