AM5350N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5350N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2

Аналог (замена) для AM5350N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5350N даташит

 ..1. Size:314K  analog power
 am5350n.pdf pdf_icon

AM5350N

Analog Power AM5350N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 700 @ VGS = 10V 1.3 Low thermal impedance 150 1200 @ VGS = 4.5V 1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L package DFN3x2-8L EP Typical Applications D D Telecom DC/DC converters D D White LED boost conver

 9.1. Size:571K  ait semi
 am5352.pdf pdf_icon

AM5350N

AM5352 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM5352 is the N-Channel logic enhancement 20V/0.6A, R =200m (typ.)@V =4.5V DS(ON) GS mode power field effect transistor which is produced 20V/0.5A, R =240m (typ.)@V =2.5V DS(ON) GS using high cell density advanced trench technology to 20V/0.4A, R =420m

Другие IGBT... AM50N10-55FP, AM50P02-09D, AM50P02-16D, AM50P03-09D, AM50P04-16PCFM, AM50P04-20D, AM50P06-15D, AM50P10-117P, 60N06, AM5352, AM5400N, AM5423P, AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P