Справочник MOSFET. AM5350N

 

AM5350N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5350N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для AM5350N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5350N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  analog power
 am5350n.pdf pdf_icon

AM5350N

Analog Power AM5350NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)700 @ VGS = 10V1.3 Low thermal impedance1501200 @ VGS = 4.5V1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Telecom DC/DC convertersDD White LED boost conver

 9.1. Size:571K  ait semi
 am5352.pdf pdf_icon

AM5350N

AM5352 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM5352 is the N-Channel logic enhancement 20V/0.6A, R =200m(typ.)@V =4.5V DS(ON) GSmode power field effect transistor which is produced 20V/0.5A, R =240m(typ.)@V =2.5V DS(ON) GSusing high cell density advanced trench technology to 20V/0.4A, R =420m

Другие MOSFET... AM50N10-55FP , AM50P02-09D , AM50P02-16D , AM50P03-09D , AM50P04-16PCFM , AM50P04-20D , AM50P06-15D , AM50P10-117P , AO4468 , AM5352 , AM5400N , AM5423P , AM5430N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P .

History: AMR492N | FK350601 | SSF2341E | 6N80L-T2Q-T | HP20N60 | SWW20N65K | FQB13N10LTM

 

 
Back to Top

 


 
.