AM5423P Todos los transistores

 

AM5423P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5423P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2
 

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AM5423P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  analog power
 am5423p.pdf pdf_icon

AM5423P

Analog Power AM5423PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 0.024 @ VGS = -4.5V -8.4converters and power management in portable and -200.031 @ VGS = -2.5V -7.4

Otros transistores... AM50P03-09D , AM50P04-16PCFM , AM50P04-20D , AM50P06-15D , AM50P10-117P , AM5350N , AM5352 , AM5400N , BS170 , AM5430N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P , AM5853 , AM5920N , AM5922N .

History: MCP87090

 

 
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