AM5423P Todos los transistores

 

AM5423P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5423P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM5423P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  analog power
 am5423p.pdf pdf_icon

AM5423P

Analog Power AM5423PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 0.024 @ VGS = -4.5V -8.4converters and power management in portable and -200.031 @ VGS = -2.5V -7.4

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: G2003 | TDM3424 | 2SK3541MGP | SI12N60-F | TPC8045-H | UT4812 | ZVN0545GTC

 

 
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