AM5423P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5423P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: DFN3X2

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AM5423P datasheet

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AM5423P

Analog Power AM5423P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 0.024 @ VGS = -4.5V -8.4 converters and power management in portable and -20 0.031 @ VGS = -2.5V -7.4

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