AM5423P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM5423P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X2
Búsqueda de reemplazo de AM5423P MOSFET
AM5423P Datasheet (PDF)
am5423p.pdf

Analog Power AM5423PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 0.024 @ VGS = -4.5V -8.4converters and power management in portable and -200.031 @ VGS = -2.5V -7.4
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History: STF35N65M5 | QM3014N3 | AFN7106S | APT18F60B | AP9477GM-HF | 3401A
History: STF35N65M5 | QM3014N3 | AFN7106S | APT18F60B | AP9477GM-HF | 3401A



Liste
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