Справочник MOSFET. AM5423P

 

AM5423P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5423P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 580 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для AM5423P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5423P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  analog power
 am5423p.pdf pdf_icon

AM5423P

Analog Power AM5423PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 0.024 @ VGS = -4.5V -8.4converters and power management in portable and -200.031 @ VGS = -2.5V -7.4

Другие MOSFET... AM50P03-09D , AM50P04-16PCFM , AM50P04-20D , AM50P06-15D , AM50P10-117P , AM5350N , AM5352 , AM5400N , BS170 , AM5430N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P , AM5853 , AM5920N , AM5922N .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | FQA11N90 | HGN080N10SL | PD696BA | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.