AM5423P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5423P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 580 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2

Аналог (замена) для AM5423P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5423P даташит

 ..1. Size:87K  analog power
 am5423p.pdf pdf_icon

AM5423P

Analog Power AM5423P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 0.024 @ VGS = -4.5V -8.4 converters and power management in portable and -20 0.031 @ VGS = -2.5V -7.4

Другие IGBT... AM50P03-09D, AM50P04-16PCFM, AM50P04-20D, AM50P06-15D, AM50P10-117P, AM5350N, AM5352, AM5400N, IRF730, AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853, AM5920N, AM5922N