AM5460N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5460N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm

Encapsulados: DFN3X2

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AM5460N datasheet

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AM5460N

Analog Power AM5460N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 82 @ VGS = 10V 5 Low thermal impedance 60 115 @ VGS = 4.5V 4.1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L package DFN3x2-8L EP Typical Applications D D Telecom DC/DC converters D White LED boost converters D

Otros transistores... AM50P04-20D, AM50P06-15D, AM50P10-117P, AM5350N, AM5352, AM5400N, AM5423P, AM5430N, IRF3205, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853, AM5920N, AM5922N, AM5931P, AM5932N