Справочник MOSFET. AM5460N

 

AM5460N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5460N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5460N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  analog power
 am5460n.pdf pdf_icon

AM5460N

Analog Power AM5460NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)82 @ VGS = 10V5 Low thermal impedance60115 @ VGS = 4.5V4.1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Telecom DC/DC convertersD White LED boost converters D

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PJA3400 | SSD40P04-20DE | DMG4468LK3 | IXFX55N50F | SWF13N50D | FIR8N80FG | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.