Справочник MOSFET. AM5460N

 

AM5460N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5460N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для AM5460N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5460N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  analog power
 am5460n.pdf pdf_icon

AM5460N

Analog Power AM5460NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)82 @ VGS = 10V5 Low thermal impedance60115 @ VGS = 4.5V4.1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Telecom DC/DC convertersD White LED boost converters D

Другие MOSFET... AM50P04-20D , AM50P06-15D , AM50P10-117P , AM5350N , AM5352 , AM5400N , AM5423P , AM5430N , IRF3205 , AM5480N , AM5521C , AM5829P , AM5853 , AM5920N , AM5922N , AM5931P , AM5932N .

History: TPCJ2101 | FQD13N10LTF

 

 
Back to Top

 


 
.