AM5460N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5460N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2

Аналог (замена) для AM5460N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5460N даташит

 ..1. Size:220K  analog power
 am5460n.pdf pdf_icon

AM5460N

Analog Power AM5460N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 82 @ VGS = 10V 5 Low thermal impedance 60 115 @ VGS = 4.5V 4.1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L package DFN3x2-8L EP Typical Applications D D Telecom DC/DC converters D White LED boost converters D

Другие IGBT... AM50P04-20D, AM50P06-15D, AM50P10-117P, AM5350N, AM5352, AM5400N, AM5423P, AM5430N, IRF3205, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853, AM5920N, AM5922N, AM5931P, AM5932N