AM5480N Todos los transistores

 

AM5480N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5480N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3
 

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AM5480N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  analog power
 am5480n.pdf pdf_icon

AM5480N

Analog Power AM5480NN-Channel 80-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 82 @ VGS = 10V 5.4converters and power management in portable and 80battery-powered products s

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History: 2SJ661-DL-E

 

 
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