AM5480N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5480N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для AM5480N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5480N даташит

 ..1. Size:59K  analog power
 am5480n.pdf pdf_icon

AM5480N

Analog Power AM5480N N-Channel 80-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 82 @ VGS = 10V 5.4 converters and power management in portable and 80 battery-powered products s

Другие IGBT... AM50P06-15D, AM50P10-117P, AM5350N, AM5352, AM5400N, AM5423P, AM5430N, AM5460N, IRF740, AM5521C, AM5829P, AM5853, AM5920N, AM5922N, AM5931P, AM5932N, AM60N02-09D