Справочник MOSFET. AM5480N

 

AM5480N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5480N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3
 

 Аналог (замена) для AM5480N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5480N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  analog power
 am5480n.pdf pdf_icon

AM5480N

Analog Power AM5480NN-Channel 80-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 82 @ VGS = 10V 5.4converters and power management in portable and 80battery-powered products s

Другие MOSFET... AM50P06-15D , AM50P10-117P , AM5350N , AM5352 , AM5400N , AM5423P , AM5430N , AM5460N , IRF740 , AM5521C , AM5829P , AM5853 , AM5920N , AM5922N , AM5931P , AM5932N , AM60N02-09D .

History: HTM063P02 | 2SK2672

 

 
Back to Top

 


 
.