AM5521C Todos los transistores

 

AM5521C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5521C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3
 

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AM5521C Datasheet (PDF)

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AM5521C

Analog Power AM5521CN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) () ID (A)utilize a high cell density trench process to 0.058 @ V = 4.5V 5GSprovide low rDS(on) and to ensure minimal 20power loss and heat dissipation. Typical 0.077 @ V = 2.5V 4.3GSapplications are DC-DC converters and 0.064 @ V = -4.5V -4.7GS

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