AM5521C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM5521C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM5521C

AM5521C Datasheet (PDF)

..1. Size:70K analog power
am5521c.pdf

Analog Power AM5521CN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) () ID (A)utilize a high cell density trench process to 0.058 @ V = 4.5V 5GSprovide low rDS(on) and to ensure minimal 20power loss and heat dissipation. Typical 0.077 @ V = 2.5V 4.3GSapplications are DC-DC converters and 0.064 @ V = -4.5V -4.7GS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: