AM5521C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5521C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: DFN2X3

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AM5521C datasheet

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AM5521C

Analog Power AM5521C N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) utilize a high cell density trench process to 0.058 @ V = 4.5V 5 GS provide low rDS(on) and to ensure minimal 20 power loss and heat dissipation. Typical 0.077 @ V = 2.5V 4.3 GS applications are DC-DC converters and 0.064 @ V = -4.5V -4.7 GS

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