Справочник MOSFET. AM5521C

 

AM5521C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5521C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5521C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  analog power
 am5521c.pdf pdf_icon

AM5521C

Analog Power AM5521CN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) () ID (A)utilize a high cell density trench process to 0.058 @ V = 4.5V 5GSprovide low rDS(on) and to ensure minimal 20power loss and heat dissipation. Typical 0.077 @ V = 2.5V 4.3GSapplications are DC-DC converters and 0.064 @ V = -4.5V -4.7GS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CS3N90A3H1-G | IRLBA3803P | BUK9M6R7-40H | SIHF710 | 2SK2561-01R | NTMFS4847N | BSS127

 

 
Back to Top

 


 
.