AM5521C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5521C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для AM5521C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5521C даташит

 ..1. Size:70K  analog power
 am5521c.pdf pdf_icon

AM5521C

Analog Power AM5521C N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) utilize a high cell density trench process to 0.058 @ V = 4.5V 5 GS provide low rDS(on) and to ensure minimal 20 power loss and heat dissipation. Typical 0.077 @ V = 2.5V 4.3 GS applications are DC-DC converters and 0.064 @ V = -4.5V -4.7 GS

Другие IGBT... AM50P10-117P, AM5350N, AM5352, AM5400N, AM5423P, AM5430N, AM5460N, AM5480N, IRF840, AM5829P, AM5853, AM5920N, AM5922N, AM5931P, AM5932N, AM60N02-09D, AM60N02-10D