Справочник MOSFET. AM5521C

 

AM5521C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5521C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3
 

 Аналог (замена) для AM5521C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5521C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  analog power
 am5521c.pdf pdf_icon

AM5521C

Analog Power AM5521CN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) () ID (A)utilize a high cell density trench process to 0.058 @ V = 4.5V 5GSprovide low rDS(on) and to ensure minimal 20power loss and heat dissipation. Typical 0.077 @ V = 2.5V 4.3GSapplications are DC-DC converters and 0.064 @ V = -4.5V -4.7GS

Другие MOSFET... AM50P10-117P , AM5350N , AM5352 , AM5400N , AM5423P , AM5430N , AM5460N , AM5480N , IRF840 , AM5829P , AM5853 , AM5920N , AM5922N , AM5931P , AM5932N , AM60N02-09D , AM60N02-10D .

History: FIR6N90FG | CTU10P060 | PHP18NQ11T | UT8205AG-AG6-R | IXFN32N80P | CS20N60FA9H | RXH090N03

 

 
Back to Top

 


 
.