Справочник MOSFET. AM5521C

 

AM5521C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM5521C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3

 Аналог (замена) для AM5521C

 

 

AM5521C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  analog power
 am5521c.pdf

AM5521C AM5521C

Analog Power AM5521CN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) () ID (A)utilize a high cell density trench process to 0.058 @ V = 4.5V 5GSprovide low rDS(on) and to ensure minimal 20power loss and heat dissipation. Typical 0.077 @ V = 2.5V 4.3GSapplications are DC-DC converters and 0.064 @ V = -4.5V -4.7GS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top