AM5829P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5829P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: CF1206-8

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AM5829P datasheet

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AM5829P

Analog Power AM5829P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs utilize a V (V rDS(on) (O M) ID (A) ) H high cell density trench process to provide low DS rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.110 @ V = -4.5V 3.6 GS -20 dissipation. Typical applications are DC-DC 0.160 @ V = -2.5V 3.0 GS conve

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