AM5829P Todos los transistores

 

AM5829P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5829P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: CF1206-8
 

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AM5829P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  analog power
 am5829p.pdf pdf_icon

AM5829P

Analog Power AM5829PP-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a V (V rDS(on) (O M) ID (A)) Hhigh cell density trench process to provide low DSrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.110 @ V = -4.5V 3.6GS-20dissipation. Typical applications are DC-DC 0.160 @ V = -2.5V 3.0GSconve

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History: NTD5C446N | SIHFU024

 

 
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