AM5829P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5829P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: CF1206-8

Аналог (замена) для AM5829P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5829P даташит

 ..1. Size:254K  analog power
 am5829p.pdf pdf_icon

AM5829P

Analog Power AM5829P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs utilize a V (V rDS(on) (O M) ID (A) ) H high cell density trench process to provide low DS rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.110 @ V = -4.5V 3.6 GS -20 dissipation. Typical applications are DC-DC 0.160 @ V = -2.5V 3.0 GS conve

Другие IGBT... AM5350N, AM5352, AM5400N, AM5423P, AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, 20N60, AM5853, AM5920N, AM5922N, AM5931P, AM5932N, AM60N02-09D, AM60N02-10D, AM60N03-09D