Справочник MOSFET. AM5829P

 

AM5829P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM5829P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: CF1206-8

 Аналог (замена) для AM5829P

 

 

AM5829P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  analog power
 am5829p.pdf

AM5829P AM5829P

Analog Power AM5829PP-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a V (V rDS(on) (O M) ID (A)) Hhigh cell density trench process to provide low DSrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.110 @ V = -4.5V 3.6GS-20dissipation. Typical applications are DC-DC 0.160 @ V = -2.5V 3.0GSconve

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: JFFM13N50E | 2N6782-SM

 

 
Back to Top