Справочник MOSFET. AM5829P

 

AM5829P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5829P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: CF1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5829P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  analog power
 am5829p.pdf pdf_icon

AM5829P

Analog Power AM5829PP-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a V (V rDS(on) (O M) ID (A)) Hhigh cell density trench process to provide low DSrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.110 @ V = -4.5V 3.6GS-20dissipation. Typical applications are DC-DC 0.160 @ V = -2.5V 3.0GSconve

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.