Справочник MOSFET. AM5829P

 

AM5829P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5829P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: CF1206-8
 

 Аналог (замена) для AM5829P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5829P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  analog power
 am5829p.pdf pdf_icon

AM5829P

Analog Power AM5829PP-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a V (V rDS(on) (O M) ID (A)) Hhigh cell density trench process to provide low DSrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.110 @ V = -4.5V 3.6GS-20dissipation. Typical applications are DC-DC 0.160 @ V = -2.5V 3.0GSconve

Другие MOSFET... AM5350N , AM5352 , AM5400N , AM5423P , AM5430N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , 20N60 , AM5853 , AM5920N , AM5922N , AM5931P , AM5932N , AM60N02-09D , AM60N02-10D , AM60N03-09D .

History: IXTQ26N50P | NCE60H15AD | OSG70R1KPF | CS7N70F | MP15N60EIC | FDFME2P823ZT

 

 
Back to Top

 


 
.