AM5920N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5920N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: CF1206-8

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AM5920N datasheet

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AM5920N

Analog Power AM5920N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 58 @ VGS = 4.5V 5.0 battery-powered products

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AM5920N

Analog Power AM5922N N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 23 @ VGS = 4.5V 7.9 Low thermal impedance 20 33 @ VGS = 2.5V 6.6 Fast switching speed Typical Applications DFN3x2-8L White LED boost converters S1 D1 Automotive Systems G1 Industrial DC/DC Conversion C

Otros transistores... AM5400N, AM5423P, AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853, IRF540, AM5922N, AM5931P, AM5932N, AM60N02-09D, AM60N02-10D, AM60N03-09D, AM60N04-12D, AM60N10-13D