AM5920N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5920N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: CF1206-8

Аналог (замена) для AM5920N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5920N даташит

 ..1. Size:151K  analog power
 am5920n.pdf pdf_icon

AM5920N

Analog Power AM5920N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 58 @ VGS = 4.5V 5.0 battery-powered products

 9.1. Size:296K  analog power
 am5922n.pdf pdf_icon

AM5920N

Analog Power AM5922N N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 23 @ VGS = 4.5V 7.9 Low thermal impedance 20 33 @ VGS = 2.5V 6.6 Fast switching speed Typical Applications DFN3x2-8L White LED boost converters S1 D1 Automotive Systems G1 Industrial DC/DC Conversion C

Другие IGBT... AM5400N, AM5423P, AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853, IRF540, AM5922N, AM5931P, AM5932N, AM60N02-09D, AM60N02-10D, AM60N03-09D, AM60N04-12D, AM60N10-13D