AM5931P MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AM5931P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5931P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm

Encapsulados: CF1206-8

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AM5931P datasheet

..1. Size:54K analog power
am5931p.pdf pdf_icon

Analog Power AM5931P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 0.084 @ VGS = -10V -3.1 converters and power management in portable and -30 battery-powered product

9.1. Size:68K analog power
am5932n.pdf pdf_icon

Analog Power AM5932N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 35 @ VGS = 10V 6.4 battery-powered products

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