AM5931P Todos los transistores

 

AM5931P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM5931P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
   Paquete / Cubierta: CF1206-8
 

 Búsqueda de reemplazo de AM5931P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM5931P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  analog power
 am5931p.pdf pdf_icon

AM5931P

Analog Power AM5931PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.084 @ VGS = -10V -3.1converters and power management in portable and -30battery-powered product

 9.1. Size:68K  analog power
 am5932n.pdf pdf_icon

AM5931P

Analog Power AM5932NDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 35 @ VGS = 10V 6.4battery-powered products

Otros transistores... AM5430N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P , AM5853 , AM5920N , AM5922N , IRFP460 , AM5932N , AM60N02-09D , AM60N02-10D , AM60N03-09D , AM60N04-12D , AM60N10-13D , AM60N10-70P , AM60N10-70PCFM .

History: CJQ9435 | SSP60R260S2 | FDU6688

 

 
Back to Top

 


 
.