AM5931P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM5931P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm

Тип корпуса: CF1206-8

Аналог (замена) для AM5931P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5931P даташит

 ..1. Size:54K  analog power
 am5931p.pdf pdf_icon

AM5931P

Analog Power AM5931P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 0.084 @ VGS = -10V -3.1 converters and power management in portable and -30 battery-powered product

 9.1. Size:68K  analog power
 am5932n.pdf pdf_icon

AM5931P

Analog Power AM5932N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 35 @ VGS = 10V 6.4 battery-powered products

Другие IGBT... AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853, AM5920N, AM5922N, IRFP460, AM5932N, AM60N02-09D, AM60N02-10D, AM60N03-09D, AM60N04-12D, AM60N10-13D, AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM