AM5932N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5932N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: CF1206-8

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AM5932N datasheet

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AM5932N

Analog Power AM5932N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 35 @ VGS = 10V 6.4 battery-powered products

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AM5932N

Analog Power AM5931P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 0.084 @ VGS = -10V -3.1 converters and power management in portable and -30 battery-powered product

Otros transistores... AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853, AM5920N, AM5922N, AM5931P, IRFZ44, AM60N02-09D, AM60N02-10D, AM60N03-09D, AM60N04-12D, AM60N10-13D, AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, AM60P04-10D