Справочник MOSFET. AM5932N

 

AM5932N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM5932N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: CF1206-8
 

 Аналог (замена) для AM5932N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM5932N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  analog power
 am5932n.pdf pdf_icon

AM5932N

Analog Power AM5932NDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 35 @ VGS = 10V 6.4battery-powered products

 9.1. Size:54K  analog power
 am5931p.pdf pdf_icon

AM5932N

Analog Power AM5931PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.084 @ VGS = -10V -3.1converters and power management in portable and -30battery-powered product

Другие MOSFET... AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P , AM5853 , AM5920N , AM5922N , AM5931P , IRFZ44 , AM60N02-09D , AM60N02-10D , AM60N03-09D , AM60N04-12D , AM60N10-13D , AM60N10-70P , AM60N10-70PCFM , AM60P04-10D .

History: PA210HV | BSO615CG | HAT2142H | ELM18822BA | TSM5ND50CH | AFN6011S

 

 
Back to Top

 


 
.