AM60P04-10D Todos los transistores

 

AM60P04-10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM60P04-10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM60P04-10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  analog power
 am60p04-10d.pdf pdf_icon

AM60P04-10D

Analog Power AM60P04-10DP-Channel 40-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 10 @ VGS = -10V 58converters and power management in portable and -40battery-powered produ

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History: AS3416E | AOB418 | UK4145 | 2SJ665 | CED4060A | WVM13N50 | AOW20S60

 

 
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