AM60P04-10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM60P04-10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AM60P04-10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM60P04-10D даташит

 ..1. Size:153K  analog power
 am60p04-10d.pdf pdf_icon

AM60P04-10D

Analog Power AM60P04-10D P-Channel 40-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 10 @ VGS = -10V 58 converters and power management in portable and -40 battery-powered produ

Другие IGBT... AM5932N, AM60N02-09D, AM60N02-10D, AM60N03-09D, AM60N04-12D, AM60N10-13D, AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, IRFB4227, AM6378, AM6401, AM6411P, AM6415, AM6441P, AM6520C, AM6544C, AM6602