Справочник MOSFET. AM60P04-10D

 

AM60P04-10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM60P04-10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AM60P04-10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM60P04-10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  analog power
 am60p04-10d.pdf pdf_icon

AM60P04-10D

Analog Power AM60P04-10DP-Channel 40-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 10 @ VGS = -10V 58converters and power management in portable and -40battery-powered produ

Другие MOSFET... AM5932N , AM60N02-09D , AM60N02-10D , AM60N03-09D , AM60N04-12D , AM60N10-13D , AM60N10-70P , AM60N10-70PCFM , AON6414A , AM6378 , AM6401 , AM6411P , AM6415 , AM6441P , AM6520C , AM6544C , AM6602 .

History: CJ3139KDW | APM4012NU | IXTQ96N15P | CEB6060N | FDS5170N7 | AD8N60S

 

 
Back to Top

 


 
.