AM6441P Todos los transistores

 

AM6441P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM6441P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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AM6441P Datasheet (PDF)

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AM6441P

Analog Power AM6441PP-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 28 @ VGS = -10V -6.6dissipation. Typical applications are DC-DC -40converters and power management in portable and 45 @ VGS = -4.5V -5.2

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History: IXTR20P50P | IRFS830 | UF640G-AA3-R

 

 
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