AM6441P Todos los transistores

 

AM6441P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM6441P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de AM6441P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM6441P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  analog power
 am6441p.pdf pdf_icon

AM6441P

Analog Power AM6441PP-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 28 @ VGS = -10V -6.6dissipation. Typical applications are DC-DC -40converters and power management in portable and 45 @ VGS = -4.5V -5.2

Otros transistores... AM60N10-13D , AM60N10-70P , AM60N10-70PCFM , AM60P04-10D , AM6378 , AM6401 , AM6411P , AM6415 , IRF9540 , AM6520C , AM6544C , AM6602 , AM6612N , AM6612NE , AM6802 , AM6920NH , AM6921P .

History: CEP35P10 | DH400P06F | 2SK711 | IXFT86N30T | IRFS723 | ME70N03S-G | IPB180N08S4-02

 

 
Back to Top

 


 
.