AM6441P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM6441P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

 Búsqueda de reemplazo de AM6441P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM6441P datasheet

 ..1. Size:53K  analog power
 am6441p.pdf pdf_icon

AM6441P

Analog Power AM6441P P-Channel 40-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 28 @ VGS = -10V -6.6 dissipation. Typical applications are DC-DC -40 converters and power management in portable and 45 @ VGS = -4.5V -5.2

Otros transistores... AM60N10-13D, AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, AM60P04-10D, AM6378, AM6401, AM6411P, AM6415, 2N7000, AM6520C, AM6544C, AM6602, AM6612N, AM6612NE, AM6802, AM6920NH, AM6921P