AM6441P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM6441P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для AM6441P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6441P даташит

 ..1. Size:53K  analog power
 am6441p.pdf pdf_icon

AM6441P

Analog Power AM6441P P-Channel 40-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 28 @ VGS = -10V -6.6 dissipation. Typical applications are DC-DC -40 converters and power management in portable and 45 @ VGS = -4.5V -5.2

Другие IGBT... AM60N10-13D, AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, AM60P04-10D, AM6378, AM6401, AM6411P, AM6415, 2N7000, AM6520C, AM6544C, AM6602, AM6612N, AM6612NE, AM6802, AM6920NH, AM6921P