Справочник MOSFET. AM6441P

 

AM6441P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM6441P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6441P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  analog power
 am6441p.pdf pdf_icon

AM6441P

Analog Power AM6441PP-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 28 @ VGS = -10V -6.6dissipation. Typical applications are DC-DC -40converters and power management in portable and 45 @ VGS = -4.5V -5.2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4

 

 
Back to Top

 


 
.