AM6520C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM6520C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM6520C

AM6520C Datasheet (PDF)

..1. Size:136K analog power
am6520c.pdf

Analog Power AM6520CP & N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) m()ID (A)These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures 47 @ VGS = 4.5V 4.7minimal power loss and conserves energy, making 20 66 @ VGS = 2.5V 3.9this device ideal for use in power management 95 @ VGS = 1.8V 3.3circuitry. Typical applications are P

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: