AM6520C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM6520C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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AM6520C datasheet

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AM6520C

Analog Power AM6520C P & N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures 47 @ VGS = 4.5V 4.7 minimal power loss and conserves energy, making 20 66 @ VGS = 2.5V 3.9 this device ideal for use in power management 95 @ VGS = 1.8V 3.3 circuitry. Typical applications are P

Otros transistores... AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, AM60P04-10D, AM6378, AM6401, AM6411P, AM6415, AM6441P, P55NF06, AM6544C, AM6602, AM6612N, AM6612NE, AM6802, AM6920NH, AM6921P, AM6922NH