AM6520C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM6520C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для AM6520C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6520C даташит

 ..1. Size:136K  analog power
 am6520c.pdf pdf_icon

AM6520C

Analog Power AM6520C P & N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures 47 @ VGS = 4.5V 4.7 minimal power loss and conserves energy, making 20 66 @ VGS = 2.5V 3.9 this device ideal for use in power management 95 @ VGS = 1.8V 3.3 circuitry. Typical applications are P

Другие IGBT... AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, AM60P04-10D, AM6378, AM6401, AM6411P, AM6415, AM6441P, P55NF06, AM6544C, AM6602, AM6612N, AM6612NE, AM6802, AM6920NH, AM6921P, AM6922NH