AM6612NE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM6612NE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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AM6612NE datasheet

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AM6612NE

Analog Power AM6612NE N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 22 @ VGS = 10V 9.4 30 converters and power management in portable and 30 @ VGS = 4.5V 7.0 batte

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AM6612NE

Analog Power AM6612N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 22 @ VGS = 10V 9.7 Low thermal impedance 30 30 @ VGS = 4.5V 8.3 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

Otros transistores... AM6401, AM6411P, AM6415, AM6441P, AM6520C, AM6544C, AM6602, AM6612N, IRF630, AM6802, AM6920NH, AM6921P, AM6922NH, AM6923P, AM6924NHE, AM6930N, AM6968N