AM6612NE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM6612NE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для AM6612NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6612NE даташит

 ..1. Size:199K  analog power
 am6612ne.pdf pdf_icon

AM6612NE

Analog Power AM6612NE N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 22 @ VGS = 10V 9.4 30 converters and power management in portable and 30 @ VGS = 4.5V 7.0 batte

 7.1. Size:322K  analog power
 am6612n.pdf pdf_icon

AM6612NE

Analog Power AM6612N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 22 @ VGS = 10V 9.7 Low thermal impedance 30 30 @ VGS = 4.5V 8.3 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие IGBT... AM6401, AM6411P, AM6415, AM6441P, AM6520C, AM6544C, AM6602, AM6612N, IRF630, AM6802, AM6920NH, AM6921P, AM6922NH, AM6923P, AM6924NHE, AM6930N, AM6968N