AM6930N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM6930N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM6930N

AM6930N Datasheet (PDF)

..1. Size:189K analog power
am6930n.pdf

Analog Power AM6930NDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m() ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 10V 5.530circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 55 @ VGS = 4.5V 4.8conver

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Liste

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