AM6930N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM6930N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM6930N datasheet

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AM6930N

Analog Power AM6930N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 10V 5.5 30 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 55 @ VGS = 4.5V 4.8 conver

Otros transistores... AM6612N, AM6612NE, AM6802, AM6920NH, AM6921P, AM6922NH, AM6923P, AM6924NHE, IRF4905, AM6968N, AM6968NE, AM6968NH, AM7000N, AM7001P, AM70N03-04D, AM70N03-08D, AM70N04-06D