AM6930N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM6930N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM6930N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6930N даташит

 ..1. Size:189K  analog power
 am6930n.pdf pdf_icon

AM6930N

Analog Power AM6930N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 10V 5.5 30 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 55 @ VGS = 4.5V 4.8 conver

Другие IGBT... AM6612N, AM6612NE, AM6802, AM6920NH, AM6921P, AM6922NH, AM6923P, AM6924NHE, IRF4905, AM6968N, AM6968NE, AM6968NH, AM7000N, AM7001P, AM70N03-04D, AM70N03-08D, AM70N04-06D