Справочник MOSFET. AM6930N

 

AM6930N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM6930N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AM6930N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6930N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  analog power
 am6930n.pdf pdf_icon

AM6930N

Analog Power AM6930NDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m() ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 10V 5.530circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 55 @ VGS = 4.5V 4.8conver

Другие MOSFET... AM6612N , AM6612NE , AM6802 , AM6920NH , AM6921P , AM6922NH , AM6923P , AM6924NHE , IRF4905 , AM6968N , AM6968NE , AM6968NH , AM7000N , AM7001P , AM70N03-04D , AM70N03-08D , AM70N04-06D .

History: AP2864I-A-HF | DH300N08I

 

 
Back to Top

 


 
.