IRFHE4250D Todos los transistores

 

IRFHE4250D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFHE4250D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 493 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00275 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN6X6
 

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IRFHE4250D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  international rectifier
 irfhe4250d.pdf pdf_icon

IRFHE4250D

FASTIRFET IRFHE4250DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.10 1.35 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 13 35 nC ID 60 60 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 6X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Lo

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History: TK13A65U | AP4963GEM | LNH045R140

 

 
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