IRFHE4250D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFHE4250D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 493 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00275 Ohm

Encapsulados: PQFN6X6

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IRFHE4250D datasheet

 ..1. Size:377K  international rectifier
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IRFHE4250D

FASTIRFET IRFHE4250DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.10 1.35 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 13 35 nC ID 60 60 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 6X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Lo

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