IRFHE4250D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFHE4250D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00275 Ohm

Тип корпуса: PQFN6X6

Аналог (замена) для IRFHE4250D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFHE4250D даташит

 ..1. Size:377K  international rectifier
 irfhe4250d.pdf pdf_icon

IRFHE4250D

FASTIRFET IRFHE4250DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.10 1.35 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 13 35 nC ID 60 60 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 6X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Lo

Другие IGBT... IRFH8311, IRFH8316, IRFH8318PBF, IRFH8321, IRFH8325PBF, IRFH8330PBF, IRFH8334PBF-1, IRFH8337PBF, EMB04N03H, IRFHM3911, IRFHM4226, IRFHM4231, IRFHM4234, IRFHM7194, IRFHM8228, IRFHM8235, IRFHM830DPBF