IRFHE4250D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFHE4250D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00275 Ohm
Тип корпуса: PQFN6X6
Аналог (замена) для IRFHE4250D
IRFHE4250D Datasheet (PDF)
irfhe4250d.pdf

FASTIRFET IRFHE4250DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.10 1.35 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 13 35 nC ID 60 60 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 6X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Lo
Другие MOSFET... IRFH8311 , IRFH8316 , IRFH8318PBF , IRFH8321 , IRFH8325PBF , IRFH8330PBF , IRFH8334PBF-1 , IRFH8337PBF , AO3407 , IRFHM3911 , IRFHM4226 , IRFHM4231 , IRFHM4234 , IRFHM7194 , IRFHM8228 , IRFHM8235 , IRFHM830DPBF .
History: AM7333PE | IRFHM4226 | HTS140P03
History: AM7333PE | IRFHM4226 | HTS140P03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor