IRFHE4250D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFHE4250D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00275 Ohm
Тип корпуса: PQFN6X6
Аналог (замена) для IRFHE4250D
IRFHE4250D Datasheet (PDF)
irfhe4250d.pdf
FASTIRFET IRFHE4250DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.10 1.35 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 13 35 nC ID 60 60 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 6X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Lo
Другие MOSFET... IRFH8311 , IRFH8316 , IRFH8318PBF , IRFH8321 , IRFH8325PBF , IRFH8330PBF , IRFH8334PBF-1 , IRFH8337PBF , EMB04N03H , IRFHM3911 , IRFHM4226 , IRFHM4231 , IRFHM4234 , IRFHM7194 , IRFHM8228 , IRFHM8235 , IRFHM830DPBF .
History: 2SK4037 | STW26NM60ND
History: 2SK4037 | STW26NM60ND
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor


