Справочник MOSFET. IRFHE4250D

 

IRFHE4250D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFHE4250D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00275 Ohm
   Тип корпуса: PQFN6X6
 

 Аналог (замена) для IRFHE4250D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFHE4250D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  international rectifier
 irfhe4250d.pdf pdf_icon

IRFHE4250D

FASTIRFET IRFHE4250DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.10 1.35 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 13 35 nC ID 60 60 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 6X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Lo

Другие MOSFET... IRFH8311 , IRFH8316 , IRFH8318PBF , IRFH8321 , IRFH8325PBF , IRFH8330PBF , IRFH8334PBF-1 , IRFH8337PBF , 2SK3918 , IRFHM3911 , IRFHM4226 , IRFHM4231 , IRFHM4234 , IRFHM7194 , IRFHM8228 , IRFHM8235 , IRFHM830DPBF .

History: STB140NF55-1 | STP150N10F7 | IRFHM4226 | 2N3970 | NCEP008NH40SL | FQPF11N40CT | OSG55R108KZF

 

 
Back to Top

 


 
.