Справочник MOSFET. IRFHE4250D

 

IRFHE4250D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFHE4250D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00275 Ohm
   Тип корпуса: PQFN6X6

 Аналог (замена) для IRFHE4250D

 

 

IRFHE4250D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  international rectifier
 irfhe4250d.pdf

IRFHE4250D IRFHE4250D

FASTIRFET IRFHE4250DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.10 1.35 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 13 35 nC ID 60 60 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 6X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Lo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top