AM7910N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM7910N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AM7910N datasheet

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AM7910N

Analog Power AM7910N Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 25 @ VGS = 10V 8.4 Low thermal impedance 100 28 @ VGS = 4.5V 7.9 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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