AM7910N Todos los transistores

 

AM7910N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM7910N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AM7910N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  analog power
 am7910n.pdf pdf_icon

AM7910N

Analog Power AM7910NDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)25 @ VGS = 10V8.4 Low thermal impedance 10028 @ VGS = 4.5V7.9 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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History: NCE50NF330 | GSM4896 | QM3024S | SWN7N65D | AM7632N | MMFT107T1 | SMOS44N50D3

 

 
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