AM7910N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM7910N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AM7910N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7910N даташит

 ..1. Size:291K  analog power
 am7910n.pdf pdf_icon

AM7910N

Analog Power AM7910N Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 25 @ VGS = 10V 8.4 Low thermal impedance 100 28 @ VGS = 4.5V 7.9 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие IGBT... AM7498N, AM7500C, AM7510C, AM7530C, AM7540C, AM7630N, AM7632N, AM7640N, IRFB7545, AM7920N, AM7924N, AM7930N, AM7931P, AM7933P, AM7940N, AM7960N, AM7961P