AM8881 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM8881

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 232 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: DFN2X5

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AM8881 datasheet

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AM8881

AiT Semiconductor Inc. AM8881 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8881 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 11A DS D provide excellent R , low gate charge and R

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AM8881

AiT Semiconductor Inc. AM8882 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8882 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 8A DS D provide excellent R , low gate charge and Typ.R = 9.5m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GS operation with gate voltages as low as 1.8V. The Typ.R = 13m @ V = 2.5V DS(ON) GS device is suitable for use

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