Справочник MOSFET. AM8881

 

AM8881 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM8881
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X5
 

 Аналог (замена) для AM8881

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8881 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:741K  ait semi
 am8881.pdf pdf_icon

AM8881

AiT Semiconductor Inc. AM8881 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8881 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 11A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.1. Size:781K  ait semi
 am8882.pdf pdf_icon

AM8881

AiT Semiconductor Inc. AM8882 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8882 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 8A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 9.5m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 1.8V. The Typ.R = 13m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

Другие MOSFET... AM8205 , AM8206 , AM8208 , AM8810 , AM8811 , AM8812 , AM8814 , AM8820 , IRF1404 , AM8882 , AM8958 , AM8958C , AM8N20-600D , AM8N25-550D , AM90N02-04D , AM90N03-01P , AM90N03-02D .

History: 2SK2886 | UTT4850L-S08-R | CS3N65F | 12N70KL-TF3-T | SED8840 | APT5010B2LLG | 4612

 

 
Back to Top

 


 
.