Справочник MOSFET. AM8881

 

AM8881 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM8881
   Маркировка: J6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X5

 Аналог (замена) для AM8881

 

 

AM8881 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:741K  ait semi
 am8881.pdf

AM8881 AM8881

AiT Semiconductor Inc. AM8881 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8881 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 11A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.1. Size:781K  ait semi
 am8882.pdf

AM8881 AM8881

AiT Semiconductor Inc. AM8882 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8882 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 8A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 9.5m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 1.8V. The Typ.R = 13m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 

Back to Top