AM8881. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM8881

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN2X5

Аналог (замена) для AM8881

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8881 даташит

 ..1. Size:741K  ait semi
 am8881.pdf pdf_icon

AM8881

AiT Semiconductor Inc. AM8881 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8881 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 11A DS D provide excellent R , low gate charge and R

 9.1. Size:781K  ait semi
 am8882.pdf pdf_icon

AM8881

AiT Semiconductor Inc. AM8882 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8882 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 8A DS D provide excellent R , low gate charge and Typ.R = 9.5m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GS operation with gate voltages as low as 1.8V. The Typ.R = 13m @ V = 2.5V DS(ON) GS device is suitable for use

Другие IGBT... AM8205, AM8206, AM8208, AM8810, AM8811, AM8812, AM8814, AM8820, IRF1404, AM8882, AM8958, AM8958C, AM8N20-600D, AM8N25-550D, AM90N02-04D, AM90N03-01P, AM90N03-02D