AM8958C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM8958C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 32 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM8958C datasheet

 ..1. Size:237K  analog power
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AM8958C

Analog Power AM8958C P & N-Channel 32-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 4.5V 6.0 32 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 29 @ V = 10V 7.0 GS conver

 8.1. Size:530K  ait semi
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AM8958C

AiT Semiconductor Inc. AM8958 www.ait-ic.com MOSFET N+P PAIR ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM8958 is the N & P-Channel enhancement N-Channel mode power field effect transistor using high cell 30V /6.8A, R = 23m (typ.)@V = 10V DS(ON) GS density DMOS trench technology. This high density 30V /6.5A, R = 34m (typ.)@V = 4.5V DS(ON) GS process is especially tailor

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