Справочник MOSFET. AM8958C

 

AM8958C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM8958C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 32 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AM8958C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8958C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  analog power
 am8958c.pdf pdf_icon

AM8958C

Analog Power AM8958CP & N-Channel 32-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m()ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 4.5V 6.032circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 29 @ V = 10V 7.0GSconver

 8.1. Size:530K  ait semi
 am8958.pdf pdf_icon

AM8958C

AiT Semiconductor Inc. AM8958 www.ait-ic.com MOSFET N+P PAIR ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM8958 is the N & P-Channel enhancement N-Channel mode power field effect transistor using high cell 30V /6.8A, R = 23m(typ.)@V = 10V DS(ON) GSdensity DMOS trench technology. This high density 30V /6.5A, R = 34m(typ.)@V = 4.5V DS(ON) GSprocess is especially tailor

Другие MOSFET... AM8810 , AM8811 , AM8812 , AM8814 , AM8820 , AM8881 , AM8882 , AM8958 , IRF630 , AM8N20-600D , AM8N25-550D , AM90N02-04D , AM90N03-01P , AM90N03-02D , AM90N03-03B , AM90N03-03P , AM90N03-04D .

History: STF32N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.