AM8958C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM8958C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 32 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM8958C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8958C даташит

 ..1. Size:237K  analog power
 am8958c.pdf pdf_icon

AM8958C

Analog Power AM8958C P & N-Channel 32-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 4.5V 6.0 32 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 29 @ V = 10V 7.0 GS conver

 8.1. Size:530K  ait semi
 am8958.pdf pdf_icon

AM8958C

AiT Semiconductor Inc. AM8958 www.ait-ic.com MOSFET N+P PAIR ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM8958 is the N & P-Channel enhancement N-Channel mode power field effect transistor using high cell 30V /6.8A, R = 23m (typ.)@V = 10V DS(ON) GS density DMOS trench technology. This high density 30V /6.5A, R = 34m (typ.)@V = 4.5V DS(ON) GS process is especially tailor

Другие IGBT... AM8810, AM8811, AM8812, AM8814, AM8820, AM8881, AM8882, AM8958, IRF640N, AM8N20-600D, AM8N25-550D, AM90N02-04D, AM90N03-01P, AM90N03-02D, AM90N03-03B, AM90N03-03P, AM90N03-04D