AM9569D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM9569D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO-252

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AM9569D datasheet

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AM9569D

AM9569D P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. FEATURES Simple Drive Requirement BVDSS -40V 90m Fast Switching Characteristic RDS(ON) RoHS Compliant & Halogen-Free ID

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