AM9569D Todos los transistores

 

AM9569D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM9569D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de AM9569D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM9569D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  axelite
 am9569d.pdf pdf_icon

AM9569D

AM9569D P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. FEATURES Simple Drive Requirement BVDSS -40V 90m Fast Switching Characteristic RDS(ON) RoHS Compliant & Halogen-Free ID

Otros transistores... AM90P15-30P , AM90P15-60P , AM90P20-170B , AM9410N , AM9412N , AM9433P , AM9435 , AM9435P , NCEP15T14 , AM9926 , AM9926N , AM9945N , AM9945NE , AM9N65P , STN1012 , STN1304 , STN1810 .

History: IXTA110N055T7

 

 
Back to Top

 


 
.