Справочник MOSFET. AM9569D

 

AM9569D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM9569D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AM9569D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM9569D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  axelite
am9569d.pdfpdf_icon

AM9569D

AM9569D P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. FEATURES Simple Drive Requirement BVDSS -40V 90m Fast Switching Characteristic RDS(ON) RoHS Compliant & Halogen-Free ID

Другие MOSFET... AM90P15-30P , AM90P15-60P , AM90P20-170B , AM9410N , AM9412N , AM9433P , AM9435 , AM9435P , IRFB31N20D , AM9926 , AM9926N , AM9945N , AM9945NE , AM9N65P , STN1012 , STN1304 , STN1810 .

History: STV200N55F3 | CEU83A3 | CED3172

 

 
Back to Top

 


 
.