AM9569D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM9569D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AM9569D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM9569D даташит

 ..1. Size:522K  axelite
 am9569d.pdf pdf_icon

AM9569D

AM9569D P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. FEATURES Simple Drive Requirement BVDSS -40V 90m Fast Switching Characteristic RDS(ON) RoHS Compliant & Halogen-Free ID

Другие IGBT... AM90P15-30P, AM90P15-60P, AM90P20-170B, AM9410N, AM9412N, AM9433P, AM9435, AM9435P, IRF2807, AM9926, AM9926N, AM9945N, AM9945NE, AM9N65P, STN1012, STN1304, STN1810