AM9926N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM9926N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de AM9926N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM9926N datasheet

 ..1. Size:327K  analog power
 am9926n.pdf pdf_icon

AM9926N

Analog Power AM9926N N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 30 @ VGS = 4.5V 6.9 Low thermal impedance 20 40 @ VGS = 2.5V 6.0 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 8.1. Size:641K  ait semi
 am9926.pdf pdf_icon

AM9926N

AiT Semiconductor Inc. AM9926 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM9926 uses advanced trench technology and V =20V, I =6A DS D design to provide excellent R with low gate R

Otros transistores... AM90P20-170B, AM9410N, AM9412N, AM9433P, AM9435, AM9435P, AM9569D, AM9926, IRFZ24N, AM9945N, AM9945NE, AM9N65P, STN1012, STN1304, STN1810, STN18D20, STN1NF20