AM9926N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM9926N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 7 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 78 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM9926N
AM9926N Datasheet (PDF)
am9926n.pdf
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Analog Power AM9926NN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)30 @ VGS = 4.5V6.9 Low thermal impedance 2040 @ VGS = 2.5V6.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM
am9926.pdf
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AiT Semiconductor Inc. AM9926 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM9926 uses advanced trench technology and V =20V, I =6A DS Ddesign to provide excellent R with low gate R
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