AM9926N Todos los transistores

 

AM9926N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM9926N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AM9926N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  analog power
 am9926n.pdf pdf_icon

AM9926N

Analog Power AM9926NN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)30 @ VGS = 4.5V6.9 Low thermal impedance 2040 @ VGS = 2.5V6.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 8.1. Size:641K  ait semi
 am9926.pdf pdf_icon

AM9926N

AiT Semiconductor Inc. AM9926 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM9926 uses advanced trench technology and V =20V, I =6A DS Ddesign to provide excellent R with low gate R

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History: SWN4N70D1 | AM30N10-50D | SPMT9200F | OSG65R900AF

 

 
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